新芯片的設計，是非常完美先進的。

    而且，新芯片采用的是新材質，而不是矽，性能表現也不一樣。

    正因如此，新芯片才可以在製程工藝遠遠落後的情況下，卻是全方位超越了銳龍R93900X和酷睿i99900k。

    碳基集成電路技術，不是現在才出現。

    未來芯片實驗室並不是第一家發現這種技術，而是之前就有實驗室發現了這個技術，隻是還沒有做到成熟而已。

    早在一年前，就有實驗室通過碳納米管來製造芯片的核心元器件，也就是晶體管，並且發現由過碳納米管製作的晶體管，是同尺寸矽材料製作的晶體管的5倍，並且能耗還不到其五分之一。

    這是一個重大的發現，也是臻國芯片有可能實現換道超車的突破口。

    不過，目前為止，這個技術還隻能在實驗室實現，而無法做到商業化，更無法實現量產，需要攻克的技術難關還非常多，也隻是多了一個突破口，一個可能有用的發展方向。

    但未來芯片實驗室，就把這個實現做成了成品，並且效果還更好。

    未來芯片實驗室的新芯片，就是采用碳納米管製造的碳基芯片，而運算速度做到了同尺寸矽材料製作的晶體管的10倍，其能耗更是不到五分之一。

    而且，芯片樣品的製造，以及相關測試數據，也證明了量產和商業化的可能性。

    在不久前，英特爾公布過10nm製程以及首次展示了10nm的晶圓，而他們的10nm製程可以做到每平方毫米1億晶體管，而同為10nm製程的台積電為每平方毫米4800萬晶體管，三星則是每平方毫米5160萬。

    這些數據，就是說英特爾在10nm製程晶體管密度做到了極致，但這10nm製程也是相當難產，至今還沒有正式推出相關產品。

    未來芯片實驗室的新芯片在22nm製程，晶體管密度僅做到了每平方毫米2000萬晶體管。

    單單是22nm製程晶體管密度，未來芯片實驗室的芯片已經做到了極致，就連英特爾的22nm工藝也隻是做到了每平方毫米1530萬晶體管，這幾乎是被認為22nm工藝的極限。

    而未來芯片實驗室的新芯片，同樣是22nm製程，卻是可以達到每平方毫米2000萬晶體管，比英特爾的1530萬晶體管，還多了470萬晶體管。

    當然，比起英特爾的10nm製程，未來芯片實驗室的22製程就落後許多，晶體管密度僅僅隻是英特爾10nm的五分之一。

    隻不過，得益於設計和材質的不同，同樣數量的晶體管，碳基芯片的性能卻是可以做到十倍以上，也就是新芯片的2000萬晶體管，其性能已經超越了英特爾的1億晶體管，甚至性能增強了一倍。

    最重要的是，在性能增強一倍的情況下，碳基芯片的能耗隻是後者的五分之一，而且散熱更佳。

    性能、能耗、散熱都處於優勢，這才會讓封新立說出全方位超越了銳龍R93900X和酷睿i99900k這種話。

    如果僅僅隻是性能超越的話，那封新立也不可能會說出全方位超越，也隻有在任何方麵，都優越於對標產品，才算是全方位超越。

    這種碳基芯片，對於半導體來說，可是一次技術上的重大跨越。

    現在僅僅隻是采用22nm製程，碳基芯片就已經全方位超越了對標產品，如果采用更先進的製程，比如英特爾的14nm製程，甚至是10nm製程的話，其性能又會增強到什程度，五倍，還是十倍，甚至是更高，這都是有可能的。

    正因如此，在測試結果出來後，封新立才會如此激動。